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举例说明它的用法。1:MOVK5D0。意思就是说把常数K5写入D0。使D0＝K5。上面说的常数K，H在程序执行中自动转化为二进制写入D0。2:MoVk5k1y0]就是把5这个数转化为2进制、即是0101。以二进制的数值控制组合位原件Y0到Y3的状态。0为低电位、1为高电位体现在1组（k1）也就是4个输出口上、由y0开始也就是y3y2y1y0，对应0101则y0和y2输出。y1和y3停止。3:MOVK1X0K1Y0。
信号地(SG)是各种物理量的传感器、信号源零电位以及电路中信号的公共基准地线(相对零电位)。此处信号一般指模拟信号或者能量较弱的数字信号，易受电源波动或者外界因素的，导致信号的信噪比(SNR)下降。特别是模拟信号，信号地的漂移，会导致信噪比下降；信号的测量值产生误差或者错误，可能导致系统设计的失败。因此对信号地的要求较高，也需要在系统中特殊处理，避免和大功率的电源地、数字地以及易产生地线直接连接。
GB1208-2016《电流互感器》第5.2项中规定标准的电流互感器二次电流为1A和5A，优选值为5A，当传输距离较大时应选1A。线路功耗降低线路功耗与通过电流平方成正比，二次电流为1A的电流互感器比5A减低功耗25倍，即1A的功耗仅为5A的4%。表1电流互感器测量回路的功耗传输距离加大下相同负载下，二次电流为1A互感器的传输距离是5A的25倍，这样可避免5/1A中间互感器或选用大容量互感器。表2不同额定容量时的传输距离电线截面积小大中型工厂，当仪表和电流互感器安装距离较远(45.5m)时，从表2可以看出，当选用510VA电流互感器时，线截面积经计算需4mm3；若选用12.5VA电流互感器，线截面仅需1mm2。
场效应管通常分为两类：JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的：在N型硅衬底上做了两个P型半导体的P+区，这两个区分别叫做源极S和漏极D，在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。
二次回路的控制也同样如此，从上到下的看电路图能够事半功倍。3，二次回路分部分来看。一般的电路图都会在图纸的右侧或者下侧标明相应的回路是做什么的，或者具有什么作用。这个时候分部分来看，将控制回路分开为：保护电路，测量电路，控制电路等部分来看，有助于快速的把握原理。4，快速看图需要把握线号。线号。正规电路图中，任何一条线，任何一个接线端子都是有线号的，线号就是导线的名字，同样的线号就是相同的分支和作用。
INCP命令的意思不明白可以看下图所示变址寄存器FX系列有16个变址寄存器，V0~V7，Z0~Z7，在传送和比较指令中变址寄存器V和Z用来在程序执行过程中修改软元件的编号，循环程序需要使用的变址寄存器。如下图所示上图中Z1的值为4，D6Z1相当于软元件D10（6+4）,V0的值为50，K100V0的意思就是相当于K150（100+50）。当X12接通，常数50被送到V0,4被送到Z1，ADD指令完成运算K100V0+D6Z1的值并送到D7Z1中取。
学习目标的概念就是：“学习中学习者预期达到的学习结果和标准”。俄国伟大作家托尔斯泰说：“要有生活目标，一个月的目标，一个星期的目标，一天的目标，一个小时的目标，一分钟的目标，还得为大目标牺牲小目标.”学习目标具有导向、启动、激励、凝聚、调控、制约等心理作用.有了明确的学习目标，就会朝着目标自觉地、努力地学习，会对学习产生更积极的影响。完成同样的学习任务，如果学习者学习目标明确，会比没有目标可以节省60%以上的时间.有人打过形象的比喻没有明确目标的学习像是饭后散步；有明确目标的学习就像是运动会上的赛跑。
如果输入的整形数小于K1，输出限位到LO_LIM，并返回错误代码。版权所有。反向定标的实现是通过定义LO_LIMHI_LIM来实现的。反向定标后的输出值随着输入值的增大而减小。1.2FC106功能描述UNSCALE（FC106）功能将一个实数REAL(IN)转换成上限、下限之间的实际的工程值(LO_LIMandHI_LIM)，数据类型为整形数。结果写到OUT。公式如下：OUT=[((IN–LO_LIM)/(HI_LIM–LO_LIM))*(K2–K1)]+K1常数K1和K2的值取决于输入值（IN）是双极性BIPOLAR还是单极性UNIPOLAR。
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