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场效应管通常分为两类：JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的：在N型硅衬底上做了两个P型半导体的P+区，这两个区分别叫做源极S和漏极D，在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。
PM（PermanentMagnet，磁铁）型转子为内转子型（外部为定子，中间为气隙的电机），圆柱形转子的外表面分布N、S极（外表面无齿）。单相PM型步进电机根据步进电机相数分类的单相步进电机如下图所示。有关内容在前节已经说明，此处不再赘述。两相PM型步进电机如下图所示的两相步进电机为例，定子绕组在圆周上分布排列，简单的转子极数为2，即极对数Nr=1。根据式θs=180°/PNr，令P=2，则机械角θs=90°/Nr，此90°为电气角表示的步距角，电气角除以Nr即为机械角。
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电动机在使用过程中，有一种特殊的现象转子窜轴。电动机的转子窜出定子铁芯，发生轴向位移，叫做转子窜轴。正常情况下，定子铁芯和转子铁芯两端对齐，或转子稍短于定子铁芯。当转子铁芯窜出定子铁芯达5亳米及以上时，电动机的三相空载电流将明显增大，带上负载后，定子电流会超过额定电流值，使电动机过热。同时会发出一阵阵不均匀但有规律的嗡嗡声。如果电动机转子严重窜轴，电动机就根本无法带动负载运行。转子窜轴一般有以下几个方面的原因，可分别采取措施处理:1.转子装反。
在我们刚一开始接触到51单片机的时候对P0口必须加上上拉电阻，否则P0就是高阻态。对这个问题可能感到疑惑，为什么是高阻态？加上拉电阻？今天针对这一概念进行简单讲解。高阻态高阻态这是一个数字电路里常见的术语，指的是电路的一种输出状态，既不是高电平也不是低电平。如果高阻态再输入下一级电路的话，对下级电路无任何影响，和没接一样，如果用万用表测的话有可能是高电平也有可能是低电平，随它后面接的东西定。高阻态的实质电路分析时高阻态可做开路理解，你可以把它看作输出（输入）电阻非常大。
而可持续发展就是，既符合当代人类的需求，又不致损害后代人满足其需求能力的发展，是我们在注意经济增长的数量，同时要注意追求经济增长的质量
元件分为：1、电路类元件：二极管，电阻器等等
所谓的电功率，是表示电消耗能量快慢与多少。电器设备在单位时间内电流所做的功称为电功率，简称功率，用符号P表示，单位为瓦特(W)。在直流电路中，电功率P与电压U或电动势电流I之间的关系为P=UI=U/R=IR(负载消耗功率)，P=EI(电源输出功率)小功率用电器的功率用瓦(W)表示，大功率用电器和电力设备的功率通常用千瓦(kW)或兆瓦(MW)表示，而电子设备的功率很小，一般用毫瓦(mW)或微瓦(uW)表示，它们的换算关系为1千瓦(kW)=10瓦(W)，1兆瓦(MW)=10∧6瓦(W)，1毫瓦(mW)=10-∧3瓦(W)，1微瓦(uW)=10-∧6瓦(W)。
下面用一个简单的启停与自锁电路示例来说明。根据上图编制的不能运行的错误PLC程序如下：PLC上电后，X000、X002常闭点就会断开。即逻辑值为“0”Y0=(Y0+X001)×X000×X002从上面数字逻辑表达式可知，在按下启动按钮SB1后，X001的逻辑值为“1”，而Y0的逻辑值永远不会变化，始终为“0”。原因是与PLC内部输入电路有关，以下是PLC内部输入等效电路：正确的PLC程序如下：PLC上电后，X000、X002常开点就会闭合。
定时器采用断电延时定时器，控制程序如所示。FC1控制程序编辑共享数据块。共享数据块DB3可为FB10保存发动机（汽油机和柴油机）的实际转速，当发动机转速都达到预设速度时，还可以保存该状态的标志数据。DB3的数据如所示。编辑功能块。在该系统的程序结构内，有2个功能块：FB1和FB10。FB1为底层功能块，所以应首先创建并编辑；FB10为上层功能块，可以调用FB1。编辑底层功能块FB1。在项目内创建FB1，符号名“Engine”。
由于两台计算机都有可能改变某一个信息（改变某一位的状态，或是对某一数据字的赋值等），因此就有可能产生矛盾。那么，该信息的后状态由谁来决定呢？显然，由在时序上后执行的来决定。如同我们早就知道的那样，在编写和运行PLC程序时，它每次都是按照扫描周期，由上（地址号为0）而下地（终点是END指令所在行，它地址号）执行程序。如果有两条或两条以上的指令改变了同一个寄存器的数值（或是同一个寄存位的状态），其结果是只有后一条指令有效。
处理器(CPU)：刚跟大家讲过，需要提醒的是MCS-51的CPU能处理8位二进制数或代码。CPU是单片机的主要核心部件，在CPU里面包含了运算器、控制器以及若干寄存器等部件给成。内部数据存储器(RAM)：MCS-51单片机芯片共有256个RAM单元，其中后128单元被专用寄存器占用(稍后我们详解)，能作为寄存器供用户使用的只是前128单元，用于存放可读写的数据。因此通常所说的内部数据存储器就是指前128单元，简称内部RAM。
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