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明确了这一点对这一问题可能容易理解。单片机中的高阻态在51单片机，没有连接上拉电阻的P0口相比有上拉电阻的P1口在I/O口引脚和电源之间相连是通过一对推挽状态的FET来实现的，51具体结构如下图。组成推挽结构，从理论上讲是可以通过调配管子的参数轻松实现输出大电流，提高带载能力，两个管子根据通断状态有四种不同的组合，上下管导通相当于把电源短路了，这种情况下在实际电路中不能出现。从逻辑电路上来讲，上管开-下管关开时IO与VCC直接相连，IO输出低电平0,这种结构下如果没有外接上拉电阻，输出0就是开漏状态（低阻态），因为I/O引脚是通过一个管子接地的，并不是使用导线直接连接，而一般的MOS在导通状态也会有mΩ极的导通电阻。
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在这段期间，IR基本上保持不变，主要由VR和RL所决定。经过时间ts后Ｐ区和Ｎ区所存储的电荷已显著减小，势垒区逐渐变宽，反向电流IR逐渐减小到正常反向饱和电流的数值，经过时间tt，二极管转为截止。由上可知，二极管在开关转换过程中出现的反向恢复过程，实质上由于电荷存储效应引起的，反向恢复时间就是存储电荷消失所需要的时间。二极管和一般开关的不同在于,“开”与“关”由所加电压的极性决定,而且“开”态有微小的压降Vf,“关”态有微小的电流i0。
再次，要避开磁场，我曾在自耦调压器边上测量过电流，钳表每稍微移动一点，表的数值就可以误差好多，对于有强磁场的环境，测量时一定避开。电工学习网原创稿件版权所有。再次，很多情况下，我们会以为把导线夹进钳孔中就可以了，其实，导线越靠近孔的中心位置，测量的数值越准确。后，就是如果测量的电流很小，可以通过“绕表”的方法减小测量误差，就是将被测的导线在钳表的卡口内绕多几圈，读出数值，然后再除以钳表上导线缠绕的匝数，就是要测的电流值，这在实际中常会用到，也是一种规避大量程测小电流的方法。
况且，房梁、立柱上是不能开孔、开槽的，因此在顶部走管的过程中，所遇到的每一个立柱、房梁，都需要将管引下来从地面或墙面走管，大大增加了管材用量。坏处费用增加耗材的费用只是一方面，更重要的是人工费用。与传统的地面走管施工速度比起来，顶部走管要慢不少——不仅慢，还很累。一般传统施工方式5天可以做完的工程，用顶部走管的方式，可能需要7天甚至10天（横梁、立柱的数量越多，耗费的时间也就越多）。在这里提醒打算顶部走管的朋友一下，横梁和立柱是顶部走管的困难，如果家里的立柱或横梁数量较多，不建议使用顶部走管的方法——一定不能在衡量或立柱上开孔、开槽。
两线制变送器因为信号起点电流为4mA.DC，为变送器供给了静态作业电流，一起外表电气零点为4mA.DC，不与机械零点重合，这种“活零点”有利于辨认断电和断线等毛病。并且两线制还便于运用安全栅,利于安全防爆。两线制变送器如图一所示，其供电为24V.DC，输出信号为4-20mA.DC，负载电阻为250Ω，24V电源的负线电位，它即是信号公共线，关于智能变送器还可在4-20mA.DC信号上加载HART协议的FSK键控信号。

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